RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
59
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3518
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-079.A00LF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link