RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
73
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3045
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link