Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Puntuación global
star star star star star
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 15.7
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    35 left arrow 73
    En -109% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.1 left arrow 1,423.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 5300
    En 4.83 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    73 left arrow 35
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,510.5 left arrow 15.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,423.3 left arrow 12.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    476 left arrow 3045
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones