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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
59
Intorno -111% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
28
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3693
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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