RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3693
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link