RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2206
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link