RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
8.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2206
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link