RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
59
Intorno -79% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
33
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3262
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link