RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
59
Intorno -103% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
29
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3806
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link