RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
12.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
59
Intorno -90% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
31
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2994
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link