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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
17.4
写入速度,GB/s
2,123.3
12.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2994
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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