RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
59
Intorno -97% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
30
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3608
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link