RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
24.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
77
Intorno -141% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
32
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
24.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
4001
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link