RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
24.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
77
Por volta de -141% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
24.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
16.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
4001
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link