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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
59
Intorno -103% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
29
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3242
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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