RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3242
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link