RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3242
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link