RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
27
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
3701
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link