RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3525
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link