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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
16.1
18.4
写入速度,GB/s
10.1
14.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3525
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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