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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
53
左右 -89% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
28
读取速度,GB/s
3,726.4
18.4
写入速度,GB/s
1,590.1
14.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3525
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
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