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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
16.9
18.4
写入速度,GB/s
12.0
14.7
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3525
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
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