Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

Gesamtnote
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Gesamtnote
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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

Unterschiede

Samsung 1600 CL10 Series 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 28
    Rund um 11% geringere Latenzzeit
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    18.4 left arrow 16.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.7 left arrow 10.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.1 left arrow 18.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 14.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2764 left arrow 3525
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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