RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Comparar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
38
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
27
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
3701
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link