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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
12.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
59
Intorno -111% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
28
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3467
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
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