RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
39
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
39
Velocità di lettura, GB/s
15.5
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3000
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link