RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
39
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3000
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link