RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
39
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
39
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
12.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3000
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link