RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
66
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
66
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
1912
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905402-174.A00G 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link