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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
66
左右 39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
66
读取速度,GB/s
12.3
16.7
写入速度,GB/s
8.9
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
1912
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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AMD R744G2400U1S-UO 4GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
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