RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
59
Intorno -103% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
29
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3401
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link