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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
59
Por volta de -103% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
13.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3401
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
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