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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
59
Intorno -103% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
29
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3480
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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