RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Confronto
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
42
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
34
Velocità di lettura, GB/s
13.7
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2152
2962
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Segnala un bug
×
Bug description
Source link