RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB против Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
42
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.3
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2152
2962
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link