RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
12.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
59
Intorno -97% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
30
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2947
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link