RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2947
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link