RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
60
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3379
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link