RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3448
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link