RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
37
En 35% menor latencia
Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
37
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3448
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link