RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3448
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link