RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3448
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link