RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3697
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link