RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
50
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
31
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2408
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link