RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
50
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.0
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
31
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
2408
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link