Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.5

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 58

Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.6 1,950.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 25
Скорость чтения, Гб/сек

4,241.0 15.5
Скорость записи, Гб/сек

1,950.7 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

651 2910

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Kingston 9905630-018.A00G 8GB

Kingston 9905630-018.A00G 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB

Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB

Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

модули RAM