RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
59
Intorno -97% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
30
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3824
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link