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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,833.8
18.6
写入速度,GB/s
2,123.3
15.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3824
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
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