RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
10.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
59
Intorno -84% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
32
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2714
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link