RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
59
Intorno -59% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
37
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3100
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link