RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
59
Около -59% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3100
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link