RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
59
Intorno -64% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
36
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2504
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link